中華人民共和國國家標準(中國大陸GB標準)英文版 |
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GB標準是中華人民共和國國家標準，也叫GB國標，是中國大陸強制執行的國家標準，所有中國大陸境內銷售的商品及提供服務都必須符合GB國家標準的要求，包括進口商品及服務； 本網站提供GB國家標準的查詢檢索，英文版翻譯，GB標準產品檢測檢驗及合規性分析服務； |
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SJ 20015-1992 半导体分立器件 ｇｐ、ｇｔ和ｇｃｔ级３ｄｇ１３０型ｎｐｎ硅高频小功率晶体管详细规范（中英文版） Semiconductor discrete device. Detail specification for PNP silicon high-frequency low-power transistor for types 3DG130 GP, GT and types GCT classes |
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SJ 20011-1992 半导体分立器件 ｇｐ、ｇｔ和ｇｃｔ级ｃｓ１型硅ｎ沟道耗尽型场效应晶体管详细规范（中英文版） Semiconductor discrete device. Detail specification for silicon N-channel depletion mode field-effect transistor of types CS1 GP, GT and GCT classes |
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SJ 20019-1992 电子管 ｆｍ２５型盘封管详细规范（中英文版） Detail specification for disk-seal tube of type FM25 |
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SJ 20018-1992 电子管 ｆｍ２４型盘封管详细规范（中英文版） Detail specification for disk-seal tube of type FM24 |
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SJ 20013-1992 半导体分立器件 ｇｐ、ｇｔ和ｇｃｔ级ｃｓ１０型硅ｎ沟道耗尽型场效应晶体管详细规范（中英文版） Semiconductor discrete device. Detail specification for silicon N-channel depletion mode field-effect transistor of types CS10 GP, GT and GCT classes |
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SJ 20012-1992 半导体分立器件 ｇｐ、ｇｔ和ｇｃｔ级ｃｓ４型硅ｎ沟道耗尽型场效应晶体管详细规范（中英文版） Semiconductor discrete device. Detail specification for silicon N-channel depletion mode field-effect transistor of types CS4 GP, GT and GCT classes |
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SJ 20014-1992 半导体分立器件 ｇｐ、ｇｔ和ｇｃｔ级３ｃｇ１１０型ｐｎｐ硅小功率晶体管详细规范（中英文版） Semiconductor discrete device. Detail specification for PNP silicon low-power transistor for types 3CG110 GP, GT and types GCT classes |
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SJ 20025-1992 金属氧化物半导体气敏件总规范（中英文版） Generic specification for gas sensors of metal-oxide semiconductor |
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SJ 20016-1992 半导体分立器件 ｇｐ、ｇｔ和ｇｃｔ级３ｄｇ１８２型ｎｐｎ硅小功率高反压晶体管详细规范（中英文版） Semiconductor discrete device. Detail specification for PNP silicon low-power high-reverse-voltage transistor for types 3DG182 GP, GT and types GCT classes |
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SJ 20017-1992 电子管 ｆｍ２２型盘封管详细规范（中英文版） Detail specification for disk-seal tube of type FM22 |
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JJG(YD)012-1992 （中英文版） Specification for verification of frequency selecting level meters |
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JJG(YD)011-1992 （中英文版） Specification for verification of GX2B model power sensor |
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SJ/T 10289-1991 镉镍密封碱性蓄电池充电器总规范（中英文版） General specification of charger for alkaline nickel-cadmium seal rechargeable battery |
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GB/T 13153-1991 5A以上环境或管壳额定可关断晶闸管空白详细规范（中英文版） Blank detail specification for gate turn-off thyristors，ambient or case-rated，5A and above |
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GB/T 13152-1991 5A/5A 以上环境或管壳额定逆导三极晶闸管空白详细规范（中英文版） Blank detail specification for reverse conducting triode thyristors，ambient or case-rated，5A/5A and above |
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GB/T 13127-1991 汉字智能用户电报在公用电信网上的互通技术条件 终端设备（中英文版） Specification for interworking of chinese ideogram teletex on public telecommunication networks--The terminal equipment |
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GB/T 13137-1991 2.6/9.5 mm综合中同轴电缆高频四芯组或高频线对12路载波电话终端设备技术条件（中英文版） Specification for 12-channel telephone carrier terminal equipment used on the symmetric pains of 2.6/9.5 mm coaxial cable |
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GB/T 13130-1991 汉字智能用户电报在公用电信网上的互通技术条件 运输服务（中英文版） Specification for interworking of chinese ideogram teletex on public telecommunication networks--Transport service |
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GB/T 13129-1991 汉字智能用户电报在公用电信网上的互通技术条件 控制规程（中英文版） Specification for interworking of chinese ideogram teletex on public telecommunication networks--Control procedures |
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SJ/T 10209-1991 电子器件详细规范 ｃｃｇ１１型瓶形高功率瓷介固定电容器 评定水平ｅ（可供认证用）（中英文版） Detail specification for electronic components. Fixed bottle high-power ceramic dielectric capacitors for Type CCG11 Assesment level E(Applicable for certification) |
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